Гурский Александр Леонидович
доктор физ.-мат. наук, профессор
Ауд.: 502-3
Тел.: +375 17 293 23 17
E-mail: gurskii@bsuir.by
Репозиторий БГУИР
Google Scolar
ORCID
SCOPUS
Research Gate
Mendeley
Ауд.: 502-3
Тел.: +375 17 293 23 17
E-mail: gurskii@bsuir.by
Репозиторий БГУИР
Google Scolar
ORCID
SCOPUS
Research Gate
Mendeley
Область профессиональных интересов/исследований
Оптика полупроводников, полупроводниковые светоизлучатели и СВЧ-устройства.
Образование
Год рождения - 1961. В 1983 г. с отличием окончил физический факультет Белорусского государственного университета. 1983-1986 - аспирантура в Институте физики АН БССР. 1997-1999 - докторантура в Институте физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси.
стажировки, повышение квалификации:
НПРУП «БелГИСС» (2010) по тематике «Функционирование системы менеджмента качества в учреждении образования»
РИВШ (2015) по тематике "Основы теории и методики педагогических измерений"
Трудовая деятельность
С 1983 г. по 2007 г. работал в Институте физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси, где прошел путь от стажера-исследователя до главного научного сотрудника. Ученая степень кандидата физ.-мат. наук присуждена в 1988 г., доктора физ.-мат. наук - в 2000 г., ученое звание профессора присвоено в 2005 г. В период с 1993 по 2000 год работал в Институте полупроводниковой техники университета RWTH Aachen, Германия, в рамках нескольких международных научных проектов. В БГУИР начал работать с 2003 г. по совместительству, вначале на кафедре СиУТ, затем ЗИ. С 2007 г. - профессор кафедры ЗИ, с 2008 г. по 2016 г. - зав. кафедрой МиС, с 2016 г. по настоящее время - профессор кафедры ЗИ.
Автор/соавтор более 260 научных работ, в том числе более 130 научных статей, из них более 90 - в научных журналах, 10 изобретений и патентов. Опубликовал 1 монографию, ряд обзоров, 1 учебное пособие с грифом Министерства образования Республики Беларусь, ряд научно-методических работ. h-индекс: 11.
Член Редколлегии международного "Журнала прикладной спектроскопии" (Journal of Applied Spectroscopy), журналов "Доклады БГУИР", "Стандартизация", Белорусской энциклопедии для школьников и студентов (IV том), комиссии экспертов UNIDO по проблемам нанотехнологий.
Член экспертного совета ВАК № 33 (физико-математические науки: физика), Совета по защите диссертаций Д02.15.05 в БГУИР. Подготовил 5 кандидатов наук и 5 магистров наук.
Читаемые учебные дисциплины
- Теоретические основы информационно-измерительной техники (104 ч)
- Структура инфокоммуникационных систем и сетей (108 ч)
- Устройства обработки измерительных сигналов (136 ч)
- Теоретическая метрология (180 ч)
- Метрология, стандартизация и сертификация в радиоэлектронике (60 ч)
- Планирование измерительного эксперимента (216 ч)
- Методы и средства обработки измерительной информации (120 ч)
Публикации
1. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П., Грибковский В.П., Пендюр С.А., Таленский О.Н. Влияние толщины кристалла, температуры, одноосного сжатия, полярности электрического импульса и разрядного промежутка на стримерные разряды в сульфиде кадмия. ЖПС, 1985, т.42, в.4, с.889-895.
2. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Оптическая модуляция стримерных разрядов в полупроводниках. Весцi АН БССР, сер. фiз.-мат. навук. 1985, N 3, с.82-86.
3. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Влияние температуры и подсветки на стримерные разряды в монокристаллах CdS и CdSe. ЖПС, 1986, т.44, в.6, с.978-982.
4. Грибковский В.П., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Поверхностные стримерные разряды в монокристаллах CdSSe. Весцi АН БССР, сер. фiз.-мат. навук. 1986, N6, с.61-67.
5. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Олешко В.И., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Температурная зависимость кристаллографической ориентации стримерных разрядов в сульфиде кадмия в интервале 77-530 К. Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1987, т.30, N10, с.124-128.
6. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Вынужденное излучение стримерных разрядов в монокристаллах ZnO при 300 К. Квантовая электроника, 1987, т.14, N10, с.1983-1985.
7. Gribkovskii V.P., Gurskii A.L., Pashkevich G.A., Yablonskii G.P. Crystallographic orientation of electric discharges in TeO2 and LiNbO3 monocrystalls. Phys. Stat. Sol.(a), 1987, v.103, N1 p.K153-K156
8. Gladyshchuk A.A., Gurskii A.L., Nikitenko V.A., Parashchuk V. V., Tvoronovich L.N., Yablonskii G.P. Luminiscence of ZnO monocrystals at exсitation by streamer discharges and laser radiation. J. Lumin., 1988, v.42, N1, p.49-55.
9. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Pashkevich G.A., Trukhan V.M., Yablonskii G.P., Yakimovich V.N. Crystallographic orientation of incomplete breakdown in ZnP2 and CdP2 monocrystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1991, v.123, N1, p.K75-K78.
10. Гурский А.Л., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Яблонский Г.П. Примесная люминесценция монокристаллов ZnS:О при интенсивном фото- и стримерном возбуждении. ФТТ, 1992, т.34, N11, с.3530-3536.
11. Грибковский В.П., Гурский А.Л., Яблонский Г.П., Гладыщук А.А., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Шульга Т.С. Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe. ФТП, 1992, т.26, N11, с.1920-1927.
12. Gurskii A. L., Davydov S. V., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Lutsenko E.V., Yablonskii G. P. Power and spatial characteristics of electron-beam-pumped semiconductor lasers // USA. Technical Digest Series. - 1993. - Vol. 2 - P. 426-428.
13. Gurskii A. L., Lutsenko E.V., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P. High-efficiency electron-beam-pumped semiconductor laser emitters // Physica B. - 1993. - Vol. 185, N 1-4. - P. 505-507.
14. Gribkovskii V. P., Gurskii A. L., Davydov S. V., Lutsenko E.V., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P., Gremenok V. F. Semiconductor electron-beam-pumped lasers based on ZnCdS compounds // Jap. J. Appl. Phys. - 1993. - Vol. 32, Suppl. 32-3. - P. 521-523.
15. Gribkovskii V. P., Gurskii A. L., Lutsenko E.V., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P. Electron-beam-pumped laser emitters with microrelief mirrors based on II-VI semiconductors // Advanced Materials for Optics and Electronics. -1994.- Vol. 4, N 5. - P. 365-371.
16. Луценко Е.В., Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Чехлов О.В., Яблонский Г.П. Люминесценция и генерация света в монокристаллах теллурида кадмия в каналах стримерных разрядов. ЖПС, 1994, т.60, N1-2, с.120-124.
17. Gribkovskii V. P., Gurskii A. L., Lutsenko E.V., Yablonskii G. P. Crystallographic orientation and light emission of streamer discharges in II-VI semiconductors // Advanced Materials for Optics and Electronics. -1994.- Vol. 4, N 5. - P. 373-380.
18. Taudt W., Wachtendorf B., Beccard R., Wahid A., Heuken M., Gurskii A. L., Vakarelska K. Low-temperature growth and nitrogen doping of ZnSe using diethylzinc and ditertiarybutylselenide in a plasma-stimulated low-pressure MOVPE system // J. Cryst. Growth. - 1994. - Vol. 145, N 4. - P. 582-588.
19. Gurskii A. L., Gruzinskii V. V., Gavrilenko A. N., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P., Scholl M., Heuken M. Electron-beam-pumped lasing in ZnSe epitaxial layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy // J. Appl. Phys. - 1995. - Vol. 77, N 10. - P. 5394-5397.
20. Gurskii A. L., Vakarelska K., Taudt W., Wachtendorf B., Soellner J., Wahid A., Heuken M. Oxygen and tellurium impurities in zinc selenide grown by metalorganic vapour phase epitaxy // J. Cryst. Growth. - 1995. - Vol. 146, N 4. - P. 592-598.
21. Gurskii A. L., Gruzinskii V. V., Gavrilenko A. N., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P., Scholl M., Heuken M. Electron beam pumped room temperature lasing of MOVPE-grown ZnSe // Material Science Forum. - 1995. - Vols. 182-184. - P. 323-326.
22. Gurskii A. L., Gavrilenko A. N., Lutsenko E.V., Yablonskii G. P., Taudt W., Wachtendorf B., Soellner J., Schmoranzer J., Heuken M. Quantum yield of band-edge emission between 77 and 300 K of undoped and nitrogen-doped ZnSe epilayers grown by MOVPE // Material Science Forum. - 1995. - Vols. 182-184. - P. 243-246.
23. Taudt W., Wachtendorf B., Hamadeh H., Lampe S., Gurskii A. L., Heuken M., Kutzer V., Heitz R., Gerscheid U., Hoffmann A. Low temperature growth and planar nitrogen doping of ZnSe in a plasma-stimulated LP-MOVPE system // Material Science Forum. - 1995. - Vols. 182-184. - P. 35-38.
24. Gurskii A.L., Vakarelska K., Taudt W., Heuken M. Optical and electrical properties of annealed ZnSe grown by MOVPE. // J. Appl. Spectrosc. -1996. -Vol. 63, N6. -P. 1031-1039.
25. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Kozlovsky V.I., Krysa A.B., Sцllner J., Scholl M., Hamadeh H., Heuken M. Photo- and cathodoluminescence of ZnSSe quantum well heterostructures grown by MOVPE. // J.Cryst.Growth, 1996. -Vol.159, N 1-4. -P. 518-522.
26. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Kozlovsky V.I., Krysa A.B., Sцllner J., Hamadeh H., Heuken M. Photoluminescence, cathodoluminescence and stimulated emission of MOVPE-grown epilayers and heterostructures based on ZnSSe and ZnMgSSe compounds. // J.Crystal Research and Technology, 1996. -Vol.31. -P.705-708.
27. Gurskii A.L., Gavrilenko A.N., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Taudt W., Hamadeh H., Wachtendorf B., Sцllner J., Schmoranzer J., Heuken M. Temperature and excitation dependent photoluminescence of undoped and nitrogen-doped ZnSe epilayers grown by metalorganic vapour phase epitaxy. // Phys. stat. sol. (b). -1996. -Vol. 193, N 1. -P.257-267.
28. Gurskii A.L., Taudt W., Lampe S., Hamadeh H., Sauerlander F., Germain M., Basilaveccia M., Evrard R., Yablonskii G.P., Heuken M. Optical and electrical properties of MOVPE grown ZnSe:N using triallylamine as a nitrogen precursor. // J.Cryst.Growth, 1997. -Vol.170, N 4. -P.533-536.
29. Yablonskii G.P., Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Marko I.P., Hamadeh H., Soellner J., Taudt W., Heuken M. Optical-pumped lasing of doped ZnSe epilayers grown by MOVPE. // J.Cryst.Growth, 1997. Vol.174. -P. 763-767.
30. Gurskii A.L., Marko I.P., Yuvchenko V.N., Yablonskii G.P., Hamadeh H., Taudt W., Soellner J., Kalisch H., Heuken M. Near-band-edge photoluminescence of MOVPE-grown undoped and nitrogen-doped ZnSe. // J.Cryst.Growth, 1997. Vol.174. -P. 757-762.
31. Yablonskii G.P., Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Marko I.P., Hamadeh H., Soellner J., Taudt W., Heuken M. Optical-pumped lasing of doped ZnSe epitaxial layers grown by metal-organic vapour-phase epitaxy. // Phys.stat.solidi (a), 1997. Vol.159, N 2. -P. 543-557.
32. Kalisch H., Hamadeh H., Mueller J., Yablonskii G.P., Gurskii A.L., Wojtok J., Xu J., Heuken M. MOVPE of ZnMgSSe heterostructures for optically pumped blue-green lasers. // J. of Electronic Materials, 1997. -Vol. 26, N 10. -P. 1256-1260.
33. Ракович Ю.П., Гурский А.Л., Смаль А.С., Гладыщук А.А., Хамади Х., Яблонский Г.П., Хойкен М. Структура полосы излучения свободных экситонов в гетеро-эпитаксиальных слоях ZnSe/GaAs. // ФТТ, 1998. -T.40, N 5. -C. 881-883.
34. Gurskii A.L., Yablonskii G.P., Marko I.P., Lutsenko E.V., Hamadeh H., Kalish H., Heuken M. Lasing and optical properties of MOVPE ZnSe/ZnMgSSe QW heterostructures at high optical excitation. // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 73, N 11. -P. 1496-1498.
35. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Hamadeh H., Kalisch H., Schineller B., Heuken M. Optical properties and lasing of ZnMgSSe/ ZnSSe/ZnSe heterostructures grown by MOVPE. // Materials Science and Engineering, 1998. -Vol. B51, N 1. -P. 22-25.
36. Gurskii A.L., Rakovich Yu.P., Karpuk M.M., Gladyshchuk A.A., Yablonskii G.P., Hamadeh H., Taudt W., Heuken M. Structure of free exciton luminescence spectra in heteroepitaxial ZnSe/GaAs. // J.Cryst.Growth. 1998. -Vol.184/185, N 1-4. -P.1100-1104.
37. 20. G.P.Yablonskii, A.L.Gurskii, E.V.Lutsenko, I.P.Marko, B.Schineller, A.Guttzeit, O.Schoen, M.Heuken, K.Heime, R.Beccard, D.Schmitz, H.Juergensen. Optical properties and recombination mechanisms in GaN and GaN:Mg grown by metalorganic vapour phase epitaxy. // J. of Electronic Materials, 1998. -Vol. 27, N 4. -P. 222-228.
38. Gurskii A.L. Effect of delocalization of the donor states on the donor-acceptor recombination in zinc selenide. // J. Luminescence. -1999. -Vol. 82, N 2. -P.145-154.
39. Гурский А.Л. Лазеры с накачкой электронным пучком на основе соединений А2В6 и их применение для накачки других активных сред. // ЖПС. -1999. -Т. 66, N 5. -С. 597-614.
40. Гурский А.Л., Жолнеревич И.И., Козловский В.И., Кулак И.И., Луценко Е.В., Митьковец А.И., Яблонский Г.П. Направленность и модовая структура излучения полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. // ЖПС. -1999. -Т.66, N 5. -С.692-697.
41. Gurskii A.L. Voitikov S.V. Application of the quantum defect method to calculate the Huang-Rhys factor for recombination via non-hydrogenic donor and acceptor states. // Solid State Communs. - 1999. -Vol. 112, N 1. -P.339-343.
42. A.L. Gurskii, Yu. P. Rakovich, A. A. Gladyshchuk, G. P. Yablonskii, H. Hamadeh, W. Taudt, and M. Heuken. Free Exciton Spectra in Heteroepitaxial ZnSe/GaAs layers. Phys. Rev. B, 2000, Vol. 61, N 15, p. 10314-10321.
43. A.L. Gurskii, H. Hamadeh, H. Koerfer, G. P. Yablonskii, T. V. Bezjazychnaja, V. M. Zelenkovski, M. Heuken, K. Heime. Reconstruction of excitonic spectrum during annealing of ZnSe:N grown by metalorganic vapour phase epitaxy. J. of Electronic Materials, 2000, Vol. 29, N 4, p. 430-435.
44. A.L. Gurskii. Nature of impurity bands of the edge luminescence of highly doped compensated ZnSe:N. J. Appl. Spectroscopy, 2000, Vol. 67, N 1, p.111-118 (Engl.,) p. 86-90 (Russ).
45. A.L. Gurskii, S. V. Voitikov, H. Hamadeh, H. Kalisch, M. Heuken, K. Heime. The role of impurity bands and electron-phonon interaction in formation of near-band-edge PL spectra of compensated ZnSe. J. Cryst. Growth, 2000, Vol.214/215, N 1-4, p.567-571.
46. A.L.Gurskii, M. Germain, S. V. Voitikov, E. V. Lutsenko, I. P. Marko, V. N. Pavlovskii, B. Schineller, O. Schoen, M. Heuken, E. Kartheuser, K. Heime, G. P. Yablonskii. Near-band-edge recombination in GaN, GaN:Mg and GaN:Si between 12 and 650 K. IPAP Conference Series, 2000, Nitride Semiconductors, p.591-594.
47. Marko I. P., Yablonskii G. P., Gurskii A. L., E. V. Lutsenko E. V, Kalisch H., Heuken M., Walther T. and Heime K.. Thermal stability of ZnMgSSe/ZnSe laser heterostructures. Phys. Stat. Sol. (a), 185, No 2 (2001), p. 301 - 308.
48. Yablonskii G. P., Lutsenko E. V., Pavlovskii V. N., Marko I. P., Gurskii A. L., Zubialevich V. Z., Mudryi A. V., Schon O., Protzmann H., Lunenburger M. , Schineller B., Heuken M., Kalisch H., and Heime K.. Blue InGaN/GaN multiple quantum well optically pumped lasers with emission wavelength in the spectral range of 450-470 nm. Appl. Phys. Lett. 29, No 13 (2001), p. 1953 - 1955.
49. G. P. Yablonskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, A. Szymakowskii, R. A. Jansen, A. Alam, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken. Luminescence and stimulated emission from GaN on silicon substrates heterostructures. Physica status solidi (a) 192, N 1, 54 - 59 (2002).
50. M. Germain, E. Kartheuser, A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, I.P. Marko, V.N. Pavlovskii, G.P. Yablonskii, K. Heime, M. Heuken, B. Schineller. Effects of electron-phonon interaction and chemical shift on near-band-edge recombination in GaN. J.Appl. Phys, 91, N 12, p. 9827-9834 (2002).
51. E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, K. Heime, R. H. Jansen, T. Walther, B. Schineller, and M. Heuken. Influence of pumping and inherent laser light on properties and degradation of ZnMgSSe/ZnSe quantum well heterostructures. Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 195, No. 1, p. 188 - 193 (2003).
52. И. В. Седова, С. В. Сорокин, А. А. Торопов, В. А. Кайгородов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Е. В. Луценко, В. Н. Павловский, В. З. Зубелевич, А. Л. Гурский, Г. П. Яблонский, Y. Dikme, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного и InGaN/GaN лазеров. ФТП, 2004, Т. 38, N 9, c. 1135-1140.
53. V. Sedova, S. V. Sorokin, A. A. Toropov, V. A. Kaygorodov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, Y. Dikme, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Integration of Cd(Zn)Se/ZnSe and GaN-based lasers for optoelectronic applications in a green spectral range. Physica status solidi (c) Vol. 1, Issue 4, Date: March 2004, Pages: 1030-1033.
54. G. P. Yablonskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Luminescence and lasing in InGaN/GaN multiple quantum well heterostructures grown at different temperatures. Appl. Phys. Lett. - Vol. 85, p.5158-5160.
55. G. P. Yablonskii, A. L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, T. S. Shulga, A. I. Stognij, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Carrier diffusion length measured by optical method in GaN epilayers grown by MOCVD on sapphire substrates. J. Cryst. Growth. V. 275 (2005). Is. 1-2, P. e1733-e1738.
56. A.L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Influence of MQW growth temperature and post-epitaxial annealing on luminescence and laser properties of InGaN/GaN MQW heterostructures grown by MOCVD on sapphire substrates. J. Cryst. Growth. V 275 (2005). Is.1-2, P. e1047-e1051..
57. A.L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, R. Aleksiejunas, K. Jarasiunas, F. Letertre, B. Faure, B. Schineller, A. Alam, M. Heuken, Y. Dikme, H. Kalisch and R. H. Jansen. Photoluminescence, stimulated emission and carrier dynamics in GaN/Si heterostructures studied by time-resolved four-wave mixing technique. Phys. Stat. Solidi (c), Vol. 2 (2005), Iss. 7, p.2724-2727.
58. A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii, E.V. Lutsenko, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R.H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Influence of MQW growth temperature and post-epitaxial annealing on luminescence and laser properties of InGaN/GaN MQW heterostructures grown by MOCVD on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth, 2005, Vol. 275, Iss. 1-2, p. e1047-e1051.
59. G.P. Yablonskii, A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii, E.V. Lutsenko, V.Z. Zubialevich, T.S. Shulga, A.I. Stognij, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Carrier diffusion length measured by optical method in GaN epilayers grown by MOCVD on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth, 2005, Vol. 275, Iss. 1-2, p. e1733-e1738.
60. A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii, R. Aleksiejunas, K. Jarasiunas, F. Letertre, B. Faure, B. Schineller, A. Alam, M. Heuken, Y. Dikme, H. Kalisch and R. H. Jansen. Photoluminescence, stimulated emission and carrier dynamics in GaN/Si heterostructures studied by time-resolved four-wave mixing technique. Phys. Stat. Solidi (c). 2005 Vol. 2, Iss. 7, p. 2724 - 2727.
61. E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, A. V. Danilchyk, K. A. Osipov, N. V. Rzheutskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, T. Malinauskas, K. Jarašiūnas, K. Kazlauskas, S. Juršėnas, S. Miasojedovas, A. Žukauskas, Y. Dikme, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Optical properties and carrier dynamics in differently strained GaN epilayers grown on Si by MOVPE. Phys. Stat. Sol. (a) V. 203, Iss. 7 (2006), Pages: 1759-1763.
62. S.V. Ivanov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, A.A. Toropov, P.S. Kop'ev E.V. Lutsenko, A.V. Danilchyk, A.G. Voinilovich, V.Z. Zubialevich, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii. High-efficiency low-threshold optically-pumped green laser with single CdSe quantum-disk-sheet active region. Phys. Stat. Sol. (с) V. 3, Iss. 4 (2006), p.1229-1232.
63. E.V. Lutsenko, A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Toropov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Optical properties of Cd(Zn)Se/ZnMgSSe heterostructures with fractional QD-like CdSe insertions at high excitation levels. Phys. Stat. Sol. (с). V. 3, Iss. 4 (2006), p. 895-899.
64. E. V. Lutsenko, A. L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev. Internal laser parameters and optical properties of CdSe quantum dot lasers of different design. Phys. Stat. Sol. (с). V. 3, Iss. 4 (2006), p. 1233-1237.
65. E. V. Lutsenko, A. L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, T. Malinauskas, K. Jarašiūnas, B. Schineller, M. Heuken. Determination of carrier diffusion length in MOCVD-grown GaN epilayers on sapphire by optical techniques. Phys. Stat. Sol. (с). V.3, No. 6, 1935-1939 (2006).
66. S.V. Ivanov, O. Lublinskaya, I. Sedova, S. Sorokin, A. Sitnikova, A. Toropov, P. Kop'ev. E. Lutsenko, A. Voinilovich, A. Gurskii, G. Yablonskii. Correlation of CdSe QD array morphology, structure design and lasing properties of optically pumped green CdSe/ZnMgSSe lasers. Phys. Stat. Sol. (a) V. 204 (2007), Issue 1, Pages 251 - 256.
67. K. A. Osipov, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, S. Hartmann, A. Janssen, H.-H. Johannes, R. Caspary, W. Kowalsky, N. Meyer, M. Gersdorff, M. Heuken, P. van Gemmern, C. Zimmermann, F. Jessen, H. Kalisch and R. H. Jansen. Influence of thermal annealing on photoluminescence and structural properties of -NPD organic thin films. Thin Solid Films 515 (2007) 4834-4837..
68. В.З.Зубелевич, Е.В.Луценко, В.Н.Павловский, А.Л.Гурский, А.В.Данильчик, Г.П.Яблонский, М.Б.Данаилов, Б.Рессел, А.А.Демидович, И.Ф.Войток, Х.Калиш, И.Дикме, Р.Х.Янсен, M.Люненбюргер, Б.Шинеллер, M.Хойкен Механизмы спонтанной и стимулированной рекомбинации во множественных квантовых ямах InGaN/GaN-гетероструктур на кремниевых подложках. ЖПС, 2008, т.75, N 1, с. 94-101.
69. E.V. Lutsenko, A.V. Danilchyk, N.P. Tarasuk, A. V. Andryieuski, V.N. Pavlovskii, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, and M. Heuken. Laser threshold and optical gain of blue optically pumped InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW) grown on Si. Phys. Stat. Sol. (c), 2008, Vol. 5, N 6, p.2263-2266.
70. Т.В.Безъязычная, В.М.Зеленковский, А.Л.Гурский, Г.И Рябцев. Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN. ФТП, 2008, т. 42, N 11, с. 1281-1285.
71. A.G. Vainilovich, E. V.Lutsenko, N. P. Tarasuk, A.L.Gurskii et al. Internal parameters and optical properties of green II-VI heterostructure lasers with active region composed of multi-sheet electronically-coupled CdSe quantum dots. Physica status solidi (c), 2010, Vol. 7, Iss. 6, P. 1691-1693.
72. Т.В.Борботько, С.Э.Афанасенко, Н.В.Ржеуцкий, А.Л.Гурский. Влияние температуры на оптические свойства влагосодержащих композиционных материалов. Доклады БГУИР, 2011, N 2, с.58-61.
73. Ржеуцкий Н.В., Луценко Е.В., Павловский В.Н. и др. Люминесценция p-i-n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке. Доклады БГУИР, 2011, N6, с.19-25.
74. Т.В.Борботько, Д.В. Столер, Т.А.Пулко и др. Влияние содержания порошкообразного наполнителя в композиционных материалах на их оптические свойства. Доклады БГУИР. 2012. - N 3. - С. 12-16.
75. Н.А.Певнева, А.В.Гусинский, А.Л.Гурский. СВЧ метод определения диэлектрических свойств жидкостей. Доклады БГУИР. 2012. - N 5. - С. 46-50.
76. А.Л.Гурский, Н.А.Певнева. Повышение точности определения формы оптических спектров путем исключения результатов интерференционных эффектов с помощью фурье-анализа. ЖПС. 2013. - N 4. - С. 643-645.
77. А.Л.Гурский, А.В.Гусинский, А.М.Кострикин, М.Ю.Дерябина. Измерительная СВЧ техника сантиметрового и миллиметрового диапазона. Наука и инновации, 2012, N 3. - С.22-24.
78. Луферов А.Н., Гусинский А.В., Кострикин А.Н., Ворошень А.В., Гурский С.С., Боженков В.В., Дерябина М.Ю., Гурский А.Л. Измерительный комплекс для поверки и калибровки измерителей мощности в диапазоне частот 78.33-118.1 ГГц. Стандартизация, 2014, N 3, с.50-53.
79. А.В.Мудрый, В.Д.Живулько, А.Л.Гурский, М.В.Якушев, R.W.Martin, W.J.Schaff. Радиационные эффекты в тонких гетероэпитаксиальных пленках нитрида индия при электронном облучении. Весцi НАН Беларусi, сер. фiз.-мат.навук. 2015, N 2, c.90-97.
80. А.Л.Гурский, Л.И.Гурский. Групповая классификация элементов и периодический закон Д.И.Менделеева. Доклады БГУИР. 2015. - N 8(94). - С. 38-44.
81. А.Л.Гурский, Л.И.Гурский. Группа SO(4,2) и симметрийные свойства Периодической системы элементов Д.И.Менделеева. Доклады БГУИР, 2016, № 4 (98), с.73-79.
82. М.В.Ярмолич, Н.А.Каланда, А.Л.Гурский, С.Е.Демьянов, Л.В.Ковалев, А.И.Галяс. Магнетизм в наноразмерных порошках ферромолибдата стронция. Доклады БГУИР, 2016, № 3 (97), с. 63-68.
83. Мацуткевич Я., Банис Ю., Петров А.В., Каланда Н.А., Гурский А.Л., Ярмолич М.В., Климза А.А., Желудкевич А.Л., Игнатенко О.В., Кужир П.П. Электрофизические и диэлектрические свойства композитов Pb0,85Zr0,53Ti0,47O3-Sr2FeMoO6-δ. Доклады БГУИР, 2016, № 6 (100), с. 11-16.
84. А.Л.Гурский, Н.В.Машедо. Колориметрические характеристики произвольной выборки светодиодных излучателей на белорусском рынке. Стандартизация, 2017, № 3, с.57-63.
85. А.Л.Гурский, Н. А. Певнева, А. М. Кострикин. Использование метода цилиндрического стерженька и векторного анализатора цепей для определения диэлектрической проницаемости материалов в СВЧ диапазоне. Доклады БГУИР. - 2019. - № 1 (119). - С. 56 - 61.
86. А.Л.Гурский, Л.И.Гурский. К 150-летию создания Периодической системы элементов. Becцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. - 2019. - Т.55, № 2. - С. 242-254.
87. А.Л.Гурский, Н. А. Певнева, А. М. Кострикин. Метод свободного пространства с использованием векторного анализатора цепей для определения диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах. Доклады БГУИР. - 2019. - № 4 (122). - С. 32-39.
88. А.Л.Гурский, Н. А. Певнева, А. М. Кострикин. Оценивание неопределенности измерений диэлектрической проницаемости материалов методом цилиндрического стерженька на СВЧ. Метрология и приборостроение. - 2019. - № 2. - С. 30-34.
89. А.Л.Гурский, А.В.Крейдич, М.В.Машедо, С.В.Никоненко. Пространственные и цветовые характеристики излучения светодиодных ламп. Доклады БГУИР. - 2019. - № 6 (124). - С. 55-61.
90. A.L.Gurskii, N.V.Mashedo. Color and spectral characteristics of white light emitting diodes and their variation during aging. Доклады БГУИР. - 2019. - № 7 (125). - С. 39-45.
91. Гурский А.Л., Каланда Н.А., Ярмолич М.В., Бобриков И.А., Сумников С.В., Петров А.В. Фазовые превращения при кристаллизации твердого раствора стронций-замещенного двойного перовскита. Доклады БГУИР. - 2019. - № 8 (126). - С.73-80.
92. Kalanda N.A., Yarmolich M.V., Petrov A.V., Gurskii A.L. et al. Sequence of phase transformations at the formation of the strontium chrome-molybdate compound. Modern Electronic Materials. - 2019. V.5, № 2. - P.69-75.
93. Каланда Н.А., Гурский А.Л., Ярмолич М.В., Бобриков И.А., Иваньшина О.Ю., Сумников С.В., Петров А.В., Maia F., Желудкевич А.Л., Демьянов С.Е. Фазовые превращения при кристаллизации Sr2CrMoO6-δ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2019. - Т.22, № 3. - С.1-10.
94. Kalanda N.A., Yarmolich M.V., Kutuzau M., Gurskii A.L. et al. Degree of phase transformations in the conditions of polythermal synthesis of Sr2-xBaxFeMoO6-δ. Vacuum. - 2020. -V.174, Iss. 4. - Р.109196.
95. Gurskii A.L., Pevneva N.A., Kopshai A.A. Simulation of electromagnetic field distribution in the measuring cell for determining the dielectric permittivity of materials at microwave frequencies. Доклады БГУИР. -2020, № 6. -С. 75-80.
96. А.Л.Гурский, Н.В.Машедо. Взаимосвязь между колориметрическими и спектральными параметрами светодиодных ламп белого свечения // ЖПС. - 2020. - Т.87, № 6. - С.997-1004.
97. Оксидные материалы для микро- и наноэлектроники: симметрия, физико-химические свойства, технология. А.Л. Гурский, Л.И. Гурский, C.Е. Демьянов [и др.] под общей редакцией члена-корреспондента НАН Беларуси Л.И. Гурского, Минск. Беспринт. 2020 - 705 с.
Заслуги, награды, поощрения
Лауреат Премии НАН Беларуси 2003 года за цикл работ «Полупроводниковые лазеры синего - УФ диапазона на основе эпитаксиальных слоев и квантово-размерных гетероструктур селенида цинка и нитрида галлия».
В 2005 и 2011 гг. удостоен персональной надбавки Президента Республики Беларусь за выдающийся вклад в социально-экономическое развитие Республики.
Награжден Почетными грамотами Министерства образования Республики Беларусь (2011 г, 2019 г).
Оптика полупроводников, полупроводниковые светоизлучатели и СВЧ-устройства.
Образование
Год рождения - 1961. В 1983 г. с отличием окончил физический факультет Белорусского государственного университета. 1983-1986 - аспирантура в Институте физики АН БССР. 1997-1999 - докторантура в Институте физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси.
стажировки, повышение квалификации:
НПРУП «БелГИСС» (2010) по тематике «Функционирование системы менеджмента качества в учреждении образования»
РИВШ (2015) по тематике "Основы теории и методики педагогических измерений"
Трудовая деятельность
С 1983 г. по 2007 г. работал в Институте физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси, где прошел путь от стажера-исследователя до главного научного сотрудника. Ученая степень кандидата физ.-мат. наук присуждена в 1988 г., доктора физ.-мат. наук - в 2000 г., ученое звание профессора присвоено в 2005 г. В период с 1993 по 2000 год работал в Институте полупроводниковой техники университета RWTH Aachen, Германия, в рамках нескольких международных научных проектов. В БГУИР начал работать с 2003 г. по совместительству, вначале на кафедре СиУТ, затем ЗИ. С 2007 г. - профессор кафедры ЗИ, с 2008 г. по 2016 г. - зав. кафедрой МиС, с 2016 г. по настоящее время - профессор кафедры ЗИ.
Автор/соавтор более 260 научных работ, в том числе более 130 научных статей, из них более 90 - в научных журналах, 10 изобретений и патентов. Опубликовал 1 монографию, ряд обзоров, 1 учебное пособие с грифом Министерства образования Республики Беларусь, ряд научно-методических работ. h-индекс: 11.
Член Редколлегии международного "Журнала прикладной спектроскопии" (Journal of Applied Spectroscopy), журналов "Доклады БГУИР", "Стандартизация", Белорусской энциклопедии для школьников и студентов (IV том), комиссии экспертов UNIDO по проблемам нанотехнологий.
Член экспертного совета ВАК № 33 (физико-математические науки: физика), Совета по защите диссертаций Д02.15.05 в БГУИР. Подготовил 5 кандидатов наук и 5 магистров наук.
Читаемые учебные дисциплины
- Теоретические основы информационно-измерительной техники (104 ч)
- Структура инфокоммуникационных систем и сетей (108 ч)
- Устройства обработки измерительных сигналов (136 ч)
- Теоретическая метрология (180 ч)
- Метрология, стандартизация и сертификация в радиоэлектронике (60 ч)
- Планирование измерительного эксперимента (216 ч)
- Методы и средства обработки измерительной информации (120 ч)
Публикации
1. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П., Грибковский В.П., Пендюр С.А., Таленский О.Н. Влияние толщины кристалла, температуры, одноосного сжатия, полярности электрического импульса и разрядного промежутка на стримерные разряды в сульфиде кадмия. ЖПС, 1985, т.42, в.4, с.889-895.
2. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Оптическая модуляция стримерных разрядов в полупроводниках. Весцi АН БССР, сер. фiз.-мат. навук. 1985, N 3, с.82-86.
3. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Влияние температуры и подсветки на стримерные разряды в монокристаллах CdS и CdSe. ЖПС, 1986, т.44, в.6, с.978-982.
4. Грибковский В.П., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Поверхностные стримерные разряды в монокристаллах CdSSe. Весцi АН БССР, сер. фiз.-мат. навук. 1986, N6, с.61-67.
5. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Олешко В.И., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Температурная зависимость кристаллографической ориентации стримерных разрядов в сульфиде кадмия в интервале 77-530 К. Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1987, т.30, N10, с.124-128.
6. Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Вынужденное излучение стримерных разрядов в монокристаллах ZnO при 300 К. Квантовая электроника, 1987, т.14, N10, с.1983-1985.
7. Gribkovskii V.P., Gurskii A.L., Pashkevich G.A., Yablonskii G.P. Crystallographic orientation of electric discharges in TeO2 and LiNbO3 monocrystalls. Phys. Stat. Sol.(a), 1987, v.103, N1 p.K153-K156
8. Gladyshchuk A.A., Gurskii A.L., Nikitenko V.A., Parashchuk V. V., Tvoronovich L.N., Yablonskii G.P. Luminiscence of ZnO monocrystals at exсitation by streamer discharges and laser radiation. J. Lumin., 1988, v.42, N1, p.49-55.
9. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Pashkevich G.A., Trukhan V.M., Yablonskii G.P., Yakimovich V.N. Crystallographic orientation of incomplete breakdown in ZnP2 and CdP2 monocrystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1991, v.123, N1, p.K75-K78.
10. Гурский А.Л., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Яблонский Г.П. Примесная люминесценция монокристаллов ZnS:О при интенсивном фото- и стримерном возбуждении. ФТТ, 1992, т.34, N11, с.3530-3536.
11. Грибковский В.П., Гурский А.Л., Яблонский Г.П., Гладыщук А.А., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Шульга Т.С. Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe. ФТП, 1992, т.26, N11, с.1920-1927.
12. Gurskii A. L., Davydov S. V., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Lutsenko E.V., Yablonskii G. P. Power and spatial characteristics of electron-beam-pumped semiconductor lasers // USA. Technical Digest Series. - 1993. - Vol. 2 - P. 426-428.
13. Gurskii A. L., Lutsenko E.V., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P. High-efficiency electron-beam-pumped semiconductor laser emitters // Physica B. - 1993. - Vol. 185, N 1-4. - P. 505-507.
14. Gribkovskii V. P., Gurskii A. L., Davydov S. V., Lutsenko E.V., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P., Gremenok V. F. Semiconductor electron-beam-pumped lasers based on ZnCdS compounds // Jap. J. Appl. Phys. - 1993. - Vol. 32, Suppl. 32-3. - P. 521-523.
15. Gribkovskii V. P., Gurskii A. L., Lutsenko E.V., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P. Electron-beam-pumped laser emitters with microrelief mirrors based on II-VI semiconductors // Advanced Materials for Optics and Electronics. -1994.- Vol. 4, N 5. - P. 365-371.
16. Луценко Е.В., Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Чехлов О.В., Яблонский Г.П. Люминесценция и генерация света в монокристаллах теллурида кадмия в каналах стримерных разрядов. ЖПС, 1994, т.60, N1-2, с.120-124.
17. Gribkovskii V. P., Gurskii A. L., Lutsenko E.V., Yablonskii G. P. Crystallographic orientation and light emission of streamer discharges in II-VI semiconductors // Advanced Materials for Optics and Electronics. -1994.- Vol. 4, N 5. - P. 373-380.
18. Taudt W., Wachtendorf B., Beccard R., Wahid A., Heuken M., Gurskii A. L., Vakarelska K. Low-temperature growth and nitrogen doping of ZnSe using diethylzinc and ditertiarybutylselenide in a plasma-stimulated low-pressure MOVPE system // J. Cryst. Growth. - 1994. - Vol. 145, N 4. - P. 582-588.
19. Gurskii A. L., Gruzinskii V. V., Gavrilenko A. N., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P., Scholl M., Heuken M. Electron-beam-pumped lasing in ZnSe epitaxial layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy // J. Appl. Phys. - 1995. - Vol. 77, N 10. - P. 5394-5397.
20. Gurskii A. L., Vakarelska K., Taudt W., Wachtendorf B., Soellner J., Wahid A., Heuken M. Oxygen and tellurium impurities in zinc selenide grown by metalorganic vapour phase epitaxy // J. Cryst. Growth. - 1995. - Vol. 146, N 4. - P. 592-598.
21. Gurskii A. L., Gruzinskii V. V., Gavrilenko A. N., Kulak I. I., Mitcovets A. I., Yablonskii G. P., Scholl M., Heuken M. Electron beam pumped room temperature lasing of MOVPE-grown ZnSe // Material Science Forum. - 1995. - Vols. 182-184. - P. 323-326.
22. Gurskii A. L., Gavrilenko A. N., Lutsenko E.V., Yablonskii G. P., Taudt W., Wachtendorf B., Soellner J., Schmoranzer J., Heuken M. Quantum yield of band-edge emission between 77 and 300 K of undoped and nitrogen-doped ZnSe epilayers grown by MOVPE // Material Science Forum. - 1995. - Vols. 182-184. - P. 243-246.
23. Taudt W., Wachtendorf B., Hamadeh H., Lampe S., Gurskii A. L., Heuken M., Kutzer V., Heitz R., Gerscheid U., Hoffmann A. Low temperature growth and planar nitrogen doping of ZnSe in a plasma-stimulated LP-MOVPE system // Material Science Forum. - 1995. - Vols. 182-184. - P. 35-38.
24. Gurskii A.L., Vakarelska K., Taudt W., Heuken M. Optical and electrical properties of annealed ZnSe grown by MOVPE. // J. Appl. Spectrosc. -1996. -Vol. 63, N6. -P. 1031-1039.
25. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Kozlovsky V.I., Krysa A.B., Sцllner J., Scholl M., Hamadeh H., Heuken M. Photo- and cathodoluminescence of ZnSSe quantum well heterostructures grown by MOVPE. // J.Cryst.Growth, 1996. -Vol.159, N 1-4. -P. 518-522.
26. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Kozlovsky V.I., Krysa A.B., Sцllner J., Hamadeh H., Heuken M. Photoluminescence, cathodoluminescence and stimulated emission of MOVPE-grown epilayers and heterostructures based on ZnSSe and ZnMgSSe compounds. // J.Crystal Research and Technology, 1996. -Vol.31. -P.705-708.
27. Gurskii A.L., Gavrilenko A.N., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Taudt W., Hamadeh H., Wachtendorf B., Sцllner J., Schmoranzer J., Heuken M. Temperature and excitation dependent photoluminescence of undoped and nitrogen-doped ZnSe epilayers grown by metalorganic vapour phase epitaxy. // Phys. stat. sol. (b). -1996. -Vol. 193, N 1. -P.257-267.
28. Gurskii A.L., Taudt W., Lampe S., Hamadeh H., Sauerlander F., Germain M., Basilaveccia M., Evrard R., Yablonskii G.P., Heuken M. Optical and electrical properties of MOVPE grown ZnSe:N using triallylamine as a nitrogen precursor. // J.Cryst.Growth, 1997. -Vol.170, N 4. -P.533-536.
29. Yablonskii G.P., Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Marko I.P., Hamadeh H., Soellner J., Taudt W., Heuken M. Optical-pumped lasing of doped ZnSe epilayers grown by MOVPE. // J.Cryst.Growth, 1997. Vol.174. -P. 763-767.
30. Gurskii A.L., Marko I.P., Yuvchenko V.N., Yablonskii G.P., Hamadeh H., Taudt W., Soellner J., Kalisch H., Heuken M. Near-band-edge photoluminescence of MOVPE-grown undoped and nitrogen-doped ZnSe. // J.Cryst.Growth, 1997. Vol.174. -P. 757-762.
31. Yablonskii G.P., Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Marko I.P., Hamadeh H., Soellner J., Taudt W., Heuken M. Optical-pumped lasing of doped ZnSe epitaxial layers grown by metal-organic vapour-phase epitaxy. // Phys.stat.solidi (a), 1997. Vol.159, N 2. -P. 543-557.
32. Kalisch H., Hamadeh H., Mueller J., Yablonskii G.P., Gurskii A.L., Wojtok J., Xu J., Heuken M. MOVPE of ZnMgSSe heterostructures for optically pumped blue-green lasers. // J. of Electronic Materials, 1997. -Vol. 26, N 10. -P. 1256-1260.
33. Ракович Ю.П., Гурский А.Л., Смаль А.С., Гладыщук А.А., Хамади Х., Яблонский Г.П., Хойкен М. Структура полосы излучения свободных экситонов в гетеро-эпитаксиальных слоях ZnSe/GaAs. // ФТТ, 1998. -T.40, N 5. -C. 881-883.
34. Gurskii A.L., Yablonskii G.P., Marko I.P., Lutsenko E.V., Hamadeh H., Kalish H., Heuken M. Lasing and optical properties of MOVPE ZnSe/ZnMgSSe QW heterostructures at high optical excitation. // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 73, N 11. -P. 1496-1498.
35. Gurskii A.L., Lutsenko E.V., Yablonskii G.P., Hamadeh H., Kalisch H., Schineller B., Heuken M. Optical properties and lasing of ZnMgSSe/ ZnSSe/ZnSe heterostructures grown by MOVPE. // Materials Science and Engineering, 1998. -Vol. B51, N 1. -P. 22-25.
36. Gurskii A.L., Rakovich Yu.P., Karpuk M.M., Gladyshchuk A.A., Yablonskii G.P., Hamadeh H., Taudt W., Heuken M. Structure of free exciton luminescence spectra in heteroepitaxial ZnSe/GaAs. // J.Cryst.Growth. 1998. -Vol.184/185, N 1-4. -P.1100-1104.
37. 20. G.P.Yablonskii, A.L.Gurskii, E.V.Lutsenko, I.P.Marko, B.Schineller, A.Guttzeit, O.Schoen, M.Heuken, K.Heime, R.Beccard, D.Schmitz, H.Juergensen. Optical properties and recombination mechanisms in GaN and GaN:Mg grown by metalorganic vapour phase epitaxy. // J. of Electronic Materials, 1998. -Vol. 27, N 4. -P. 222-228.
38. Gurskii A.L. Effect of delocalization of the donor states on the donor-acceptor recombination in zinc selenide. // J. Luminescence. -1999. -Vol. 82, N 2. -P.145-154.
39. Гурский А.Л. Лазеры с накачкой электронным пучком на основе соединений А2В6 и их применение для накачки других активных сред. // ЖПС. -1999. -Т. 66, N 5. -С. 597-614.
40. Гурский А.Л., Жолнеревич И.И., Козловский В.И., Кулак И.И., Луценко Е.В., Митьковец А.И., Яблонский Г.П. Направленность и модовая структура излучения полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. // ЖПС. -1999. -Т.66, N 5. -С.692-697.
41. Gurskii A.L. Voitikov S.V. Application of the quantum defect method to calculate the Huang-Rhys factor for recombination via non-hydrogenic donor and acceptor states. // Solid State Communs. - 1999. -Vol. 112, N 1. -P.339-343.
42. A.L. Gurskii, Yu. P. Rakovich, A. A. Gladyshchuk, G. P. Yablonskii, H. Hamadeh, W. Taudt, and M. Heuken. Free Exciton Spectra in Heteroepitaxial ZnSe/GaAs layers. Phys. Rev. B, 2000, Vol. 61, N 15, p. 10314-10321.
43. A.L. Gurskii, H. Hamadeh, H. Koerfer, G. P. Yablonskii, T. V. Bezjazychnaja, V. M. Zelenkovski, M. Heuken, K. Heime. Reconstruction of excitonic spectrum during annealing of ZnSe:N grown by metalorganic vapour phase epitaxy. J. of Electronic Materials, 2000, Vol. 29, N 4, p. 430-435.
44. A.L. Gurskii. Nature of impurity bands of the edge luminescence of highly doped compensated ZnSe:N. J. Appl. Spectroscopy, 2000, Vol. 67, N 1, p.111-118 (Engl.,) p. 86-90 (Russ).
45. A.L. Gurskii, S. V. Voitikov, H. Hamadeh, H. Kalisch, M. Heuken, K. Heime. The role of impurity bands and electron-phonon interaction in formation of near-band-edge PL spectra of compensated ZnSe. J. Cryst. Growth, 2000, Vol.214/215, N 1-4, p.567-571.
46. A.L.Gurskii, M. Germain, S. V. Voitikov, E. V. Lutsenko, I. P. Marko, V. N. Pavlovskii, B. Schineller, O. Schoen, M. Heuken, E. Kartheuser, K. Heime, G. P. Yablonskii. Near-band-edge recombination in GaN, GaN:Mg and GaN:Si between 12 and 650 K. IPAP Conference Series, 2000, Nitride Semiconductors, p.591-594.
47. Marko I. P., Yablonskii G. P., Gurskii A. L., E. V. Lutsenko E. V, Kalisch H., Heuken M., Walther T. and Heime K.. Thermal stability of ZnMgSSe/ZnSe laser heterostructures. Phys. Stat. Sol. (a), 185, No 2 (2001), p. 301 - 308.
48. Yablonskii G. P., Lutsenko E. V., Pavlovskii V. N., Marko I. P., Gurskii A. L., Zubialevich V. Z., Mudryi A. V., Schon O., Protzmann H., Lunenburger M. , Schineller B., Heuken M., Kalisch H., and Heime K.. Blue InGaN/GaN multiple quantum well optically pumped lasers with emission wavelength in the spectral range of 450-470 nm. Appl. Phys. Lett. 29, No 13 (2001), p. 1953 - 1955.
49. G. P. Yablonskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, A. Szymakowskii, R. A. Jansen, A. Alam, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken. Luminescence and stimulated emission from GaN on silicon substrates heterostructures. Physica status solidi (a) 192, N 1, 54 - 59 (2002).
50. M. Germain, E. Kartheuser, A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, I.P. Marko, V.N. Pavlovskii, G.P. Yablonskii, K. Heime, M. Heuken, B. Schineller. Effects of electron-phonon interaction and chemical shift on near-band-edge recombination in GaN. J.Appl. Phys, 91, N 12, p. 9827-9834 (2002).
51. E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, K. Heime, R. H. Jansen, T. Walther, B. Schineller, and M. Heuken. Influence of pumping and inherent laser light on properties and degradation of ZnMgSSe/ZnSe quantum well heterostructures. Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 195, No. 1, p. 188 - 193 (2003).
52. И. В. Седова, С. В. Сорокин, А. А. Торопов, В. А. Кайгородов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Е. В. Луценко, В. Н. Павловский, В. З. Зубелевич, А. Л. Гурский, Г. П. Яблонский, Y. Dikme, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного и InGaN/GaN лазеров. ФТП, 2004, Т. 38, N 9, c. 1135-1140.
53. V. Sedova, S. V. Sorokin, A. A. Toropov, V. A. Kaygorodov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, Y. Dikme, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Integration of Cd(Zn)Se/ZnSe and GaN-based lasers for optoelectronic applications in a green spectral range. Physica status solidi (c) Vol. 1, Issue 4, Date: March 2004, Pages: 1030-1033.
54. G. P. Yablonskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Luminescence and lasing in InGaN/GaN multiple quantum well heterostructures grown at different temperatures. Appl. Phys. Lett. - Vol. 85, p.5158-5160.
55. G. P. Yablonskii, A. L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, T. S. Shulga, A. I. Stognij, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Carrier diffusion length measured by optical method in GaN epilayers grown by MOCVD on sapphire substrates. J. Cryst. Growth. V. 275 (2005). Is. 1-2, P. e1733-e1738.
56. A.L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Influence of MQW growth temperature and post-epitaxial annealing on luminescence and laser properties of InGaN/GaN MQW heterostructures grown by MOCVD on sapphire substrates. J. Cryst. Growth. V 275 (2005). Is.1-2, P. e1047-e1051..
57. A.L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, R. Aleksiejunas, K. Jarasiunas, F. Letertre, B. Faure, B. Schineller, A. Alam, M. Heuken, Y. Dikme, H. Kalisch and R. H. Jansen. Photoluminescence, stimulated emission and carrier dynamics in GaN/Si heterostructures studied by time-resolved four-wave mixing technique. Phys. Stat. Solidi (c), Vol. 2 (2005), Iss. 7, p.2724-2727.
58. A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii, E.V. Lutsenko, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R.H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Influence of MQW growth temperature and post-epitaxial annealing on luminescence and laser properties of InGaN/GaN MQW heterostructures grown by MOCVD on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth, 2005, Vol. 275, Iss. 1-2, p. e1047-e1051.
59. G.P. Yablonskii, A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii, E.V. Lutsenko, V.Z. Zubialevich, T.S. Shulga, A.I. Stognij, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Carrier diffusion length measured by optical method in GaN epilayers grown by MOCVD on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth, 2005, Vol. 275, Iss. 1-2, p. e1733-e1738.
60. A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii, R. Aleksiejunas, K. Jarasiunas, F. Letertre, B. Faure, B. Schineller, A. Alam, M. Heuken, Y. Dikme, H. Kalisch and R. H. Jansen. Photoluminescence, stimulated emission and carrier dynamics in GaN/Si heterostructures studied by time-resolved four-wave mixing technique. Phys. Stat. Solidi (c). 2005 Vol. 2, Iss. 7, p. 2724 - 2727.
61. E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, A. V. Danilchyk, K. A. Osipov, N. V. Rzheutskii, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, T. Malinauskas, K. Jarašiūnas, K. Kazlauskas, S. Juršėnas, S. Miasojedovas, A. Žukauskas, Y. Dikme, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Optical properties and carrier dynamics in differently strained GaN epilayers grown on Si by MOVPE. Phys. Stat. Sol. (a) V. 203, Iss. 7 (2006), Pages: 1759-1763.
62. S.V. Ivanov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, A.A. Toropov, P.S. Kop'ev E.V. Lutsenko, A.V. Danilchyk, A.G. Voinilovich, V.Z. Zubialevich, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii. High-efficiency low-threshold optically-pumped green laser with single CdSe quantum-disk-sheet active region. Phys. Stat. Sol. (с) V. 3, Iss. 4 (2006), p.1229-1232.
63. E.V. Lutsenko, A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Toropov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Optical properties of Cd(Zn)Se/ZnMgSSe heterostructures with fractional QD-like CdSe insertions at high excitation levels. Phys. Stat. Sol. (с). V. 3, Iss. 4 (2006), p. 895-899.
64. E. V. Lutsenko, A. L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev. Internal laser parameters and optical properties of CdSe quantum dot lasers of different design. Phys. Stat. Sol. (с). V. 3, Iss. 4 (2006), p. 1233-1237.
65. E. V. Lutsenko, A. L. Gurskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, T. Malinauskas, K. Jarašiūnas, B. Schineller, M. Heuken. Determination of carrier diffusion length in MOCVD-grown GaN epilayers on sapphire by optical techniques. Phys. Stat. Sol. (с). V.3, No. 6, 1935-1939 (2006).
66. S.V. Ivanov, O. Lublinskaya, I. Sedova, S. Sorokin, A. Sitnikova, A. Toropov, P. Kop'ev. E. Lutsenko, A. Voinilovich, A. Gurskii, G. Yablonskii. Correlation of CdSe QD array morphology, structure design and lasing properties of optically pumped green CdSe/ZnMgSSe lasers. Phys. Stat. Sol. (a) V. 204 (2007), Issue 1, Pages 251 - 256.
67. K. A. Osipov, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, S. Hartmann, A. Janssen, H.-H. Johannes, R. Caspary, W. Kowalsky, N. Meyer, M. Gersdorff, M. Heuken, P. van Gemmern, C. Zimmermann, F. Jessen, H. Kalisch and R. H. Jansen. Influence of thermal annealing on photoluminescence and structural properties of -NPD organic thin films. Thin Solid Films 515 (2007) 4834-4837..
68. В.З.Зубелевич, Е.В.Луценко, В.Н.Павловский, А.Л.Гурский, А.В.Данильчик, Г.П.Яблонский, М.Б.Данаилов, Б.Рессел, А.А.Демидович, И.Ф.Войток, Х.Калиш, И.Дикме, Р.Х.Янсен, M.Люненбюргер, Б.Шинеллер, M.Хойкен Механизмы спонтанной и стимулированной рекомбинации во множественных квантовых ямах InGaN/GaN-гетероструктур на кремниевых подложках. ЖПС, 2008, т.75, N 1, с. 94-101.
69. E.V. Lutsenko, A.V. Danilchyk, N.P. Tarasuk, A. V. Andryieuski, V.N. Pavlovskii, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, and M. Heuken. Laser threshold and optical gain of blue optically pumped InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW) grown on Si. Phys. Stat. Sol. (c), 2008, Vol. 5, N 6, p.2263-2266.
70. Т.В.Безъязычная, В.М.Зеленковский, А.Л.Гурский, Г.И Рябцев. Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN. ФТП, 2008, т. 42, N 11, с. 1281-1285.
71. A.G. Vainilovich, E. V.Lutsenko, N. P. Tarasuk, A.L.Gurskii et al. Internal parameters and optical properties of green II-VI heterostructure lasers with active region composed of multi-sheet electronically-coupled CdSe quantum dots. Physica status solidi (c), 2010, Vol. 7, Iss. 6, P. 1691-1693.
72. Т.В.Борботько, С.Э.Афанасенко, Н.В.Ржеуцкий, А.Л.Гурский. Влияние температуры на оптические свойства влагосодержащих композиционных материалов. Доклады БГУИР, 2011, N 2, с.58-61.
73. Ржеуцкий Н.В., Луценко Е.В., Павловский В.Н. и др. Люминесценция p-i-n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке. Доклады БГУИР, 2011, N6, с.19-25.
74. Т.В.Борботько, Д.В. Столер, Т.А.Пулко и др. Влияние содержания порошкообразного наполнителя в композиционных материалах на их оптические свойства. Доклады БГУИР. 2012. - N 3. - С. 12-16.
75. Н.А.Певнева, А.В.Гусинский, А.Л.Гурский. СВЧ метод определения диэлектрических свойств жидкостей. Доклады БГУИР. 2012. - N 5. - С. 46-50.
76. А.Л.Гурский, Н.А.Певнева. Повышение точности определения формы оптических спектров путем исключения результатов интерференционных эффектов с помощью фурье-анализа. ЖПС. 2013. - N 4. - С. 643-645.
77. А.Л.Гурский, А.В.Гусинский, А.М.Кострикин, М.Ю.Дерябина. Измерительная СВЧ техника сантиметрового и миллиметрового диапазона. Наука и инновации, 2012, N 3. - С.22-24.
78. Луферов А.Н., Гусинский А.В., Кострикин А.Н., Ворошень А.В., Гурский С.С., Боженков В.В., Дерябина М.Ю., Гурский А.Л. Измерительный комплекс для поверки и калибровки измерителей мощности в диапазоне частот 78.33-118.1 ГГц. Стандартизация, 2014, N 3, с.50-53.
79. А.В.Мудрый, В.Д.Живулько, А.Л.Гурский, М.В.Якушев, R.W.Martin, W.J.Schaff. Радиационные эффекты в тонких гетероэпитаксиальных пленках нитрида индия при электронном облучении. Весцi НАН Беларусi, сер. фiз.-мат.навук. 2015, N 2, c.90-97.
80. А.Л.Гурский, Л.И.Гурский. Групповая классификация элементов и периодический закон Д.И.Менделеева. Доклады БГУИР. 2015. - N 8(94). - С. 38-44.
81. А.Л.Гурский, Л.И.Гурский. Группа SO(4,2) и симметрийные свойства Периодической системы элементов Д.И.Менделеева. Доклады БГУИР, 2016, № 4 (98), с.73-79.
82. М.В.Ярмолич, Н.А.Каланда, А.Л.Гурский, С.Е.Демьянов, Л.В.Ковалев, А.И.Галяс. Магнетизм в наноразмерных порошках ферромолибдата стронция. Доклады БГУИР, 2016, № 3 (97), с. 63-68.
83. Мацуткевич Я., Банис Ю., Петров А.В., Каланда Н.А., Гурский А.Л., Ярмолич М.В., Климза А.А., Желудкевич А.Л., Игнатенко О.В., Кужир П.П. Электрофизические и диэлектрические свойства композитов Pb0,85Zr0,53Ti0,47O3-Sr2FeMoO6-δ. Доклады БГУИР, 2016, № 6 (100), с. 11-16.
84. А.Л.Гурский, Н.В.Машедо. Колориметрические характеристики произвольной выборки светодиодных излучателей на белорусском рынке. Стандартизация, 2017, № 3, с.57-63.
85. А.Л.Гурский, Н. А. Певнева, А. М. Кострикин. Использование метода цилиндрического стерженька и векторного анализатора цепей для определения диэлектрической проницаемости материалов в СВЧ диапазоне. Доклады БГУИР. - 2019. - № 1 (119). - С. 56 - 61.
86. А.Л.Гурский, Л.И.Гурский. К 150-летию создания Периодической системы элементов. Becцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. - 2019. - Т.55, № 2. - С. 242-254.
87. А.Л.Гурский, Н. А. Певнева, А. М. Кострикин. Метод свободного пространства с использованием векторного анализатора цепей для определения диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах. Доклады БГУИР. - 2019. - № 4 (122). - С. 32-39.
88. А.Л.Гурский, Н. А. Певнева, А. М. Кострикин. Оценивание неопределенности измерений диэлектрической проницаемости материалов методом цилиндрического стерженька на СВЧ. Метрология и приборостроение. - 2019. - № 2. - С. 30-34.
89. А.Л.Гурский, А.В.Крейдич, М.В.Машедо, С.В.Никоненко. Пространственные и цветовые характеристики излучения светодиодных ламп. Доклады БГУИР. - 2019. - № 6 (124). - С. 55-61.
90. A.L.Gurskii, N.V.Mashedo. Color and spectral characteristics of white light emitting diodes and their variation during aging. Доклады БГУИР. - 2019. - № 7 (125). - С. 39-45.
91. Гурский А.Л., Каланда Н.А., Ярмолич М.В., Бобриков И.А., Сумников С.В., Петров А.В. Фазовые превращения при кристаллизации твердого раствора стронций-замещенного двойного перовскита. Доклады БГУИР. - 2019. - № 8 (126). - С.73-80.
92. Kalanda N.A., Yarmolich M.V., Petrov A.V., Gurskii A.L. et al. Sequence of phase transformations at the formation of the strontium chrome-molybdate compound. Modern Electronic Materials. - 2019. V.5, № 2. - P.69-75.
93. Каланда Н.А., Гурский А.Л., Ярмолич М.В., Бобриков И.А., Иваньшина О.Ю., Сумников С.В., Петров А.В., Maia F., Желудкевич А.Л., Демьянов С.Е. Фазовые превращения при кристаллизации Sr2CrMoO6-δ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2019. - Т.22, № 3. - С.1-10.
94. Kalanda N.A., Yarmolich M.V., Kutuzau M., Gurskii A.L. et al. Degree of phase transformations in the conditions of polythermal synthesis of Sr2-xBaxFeMoO6-δ. Vacuum. - 2020. -V.174, Iss. 4. - Р.109196.
95. Gurskii A.L., Pevneva N.A., Kopshai A.A. Simulation of electromagnetic field distribution in the measuring cell for determining the dielectric permittivity of materials at microwave frequencies. Доклады БГУИР. -2020, № 6. -С. 75-80.
96. А.Л.Гурский, Н.В.Машедо. Взаимосвязь между колориметрическими и спектральными параметрами светодиодных ламп белого свечения // ЖПС. - 2020. - Т.87, № 6. - С.997-1004.
97. Оксидные материалы для микро- и наноэлектроники: симметрия, физико-химические свойства, технология. А.Л. Гурский, Л.И. Гурский, C.Е. Демьянов [и др.] под общей редакцией члена-корреспондента НАН Беларуси Л.И. Гурского, Минск. Беспринт. 2020 - 705 с.
Заслуги, награды, поощрения
Лауреат Премии НАН Беларуси 2003 года за цикл работ «Полупроводниковые лазеры синего - УФ диапазона на основе эпитаксиальных слоев и квантово-размерных гетероструктур селенида цинка и нитрида галлия».
В 2005 и 2011 гг. удостоен персональной надбавки Президента Республики Беларусь за выдающийся вклад в социально-экономическое развитие Республики.
Награжден Почетными грамотами Министерства образования Республики Беларусь (2011 г, 2019 г).