Кафедра электронной техники и технологии

Репозиторий БГУИР
Google Scholar
РИНЦ
Research Gate

Область профессиональных интересов/ исследований:
- Микроэлектроника
- Силовая электроника
- Диоды Шоттки
- Тонкопленочные структуры
- Процессы быстрой термообработки

Образование:
БГУИР, Электронное машиностроение, 1996; кандидат технических наук 2005; Трудовая деятельность:
- Филиал «Транзистор» ОАО «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» (1996 - 1997 инженер электроник, 1997 - 2001 инженер - технолог, 2001 - 2006 ведущий инженер-технолог, 2006 - 2007 начальник лаборатории, 2007 - 2008 первый заместитель главного технолога филиала, 2008 - 2013 - главный технолог Филиала, 2013 - настоящее время заместитель директора Филиала по техническим вопросам).
Тема кандидатской диссертации: «Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве» (05.27.01), защита 29.12.2005
Тематика исследований, результаты в настоящее время: контактно-барьерные структуры диодов Шоттки для силовой электроники, процессы быстрой термической обработки.

Читаемые учебные дисциплины:
- Проектирование и производство изделий интегральной электроники (252 ч.)
- Программно-управляемое технологическое оборудование (286 ч.)

Публикации:

1. Соловьев, Я. А. Модель обратной вольтамперной характеристики и определение параметров контакта Шоттки с охранным кольцом / Я. А. Соловьев // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 64 - 67.

2. Формирование острия кремниевых зондов для сканирующих зондовых микроскопов / Н. Г. Циркунова и другие // Доклады БГУИР. - 2005. - № 3 (11). - С. 59 - 64.
3. Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2006. - № 4 (16). - С. 53 - 58.
4. Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2006. - № 4 (16). - С. 53 - 58.
5. Керенцев, А. Ф. Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии» / А. Ф. Керенцев.[и др.] - Минск : НПО "Интеграл", 2007. - 34 с. : ил.
6. Емельянов, В. А. Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 3. / В. А. Емельянов и др.; под ред. А. П. Достанко. - Минск : Интегралполиграф, 2007. -76 с. : ил.
7. Ланин, В. Л. Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусах / В. Л. Ланин, А. Ф. Керенцев, Я. А. Соловьев // Силовая электроника. - 2010. - № 2.- С. 106-111.
8. Циркунова, Н. Г. Использование атомного силового микроскопа для исследования p-n-переходов / Н. Г. Циркунова, Я. А. Соловьев, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2010. - № 4 (50). - С. 37 - 42.
9. Улучшение паяемости внешних выводов интегральных микросхем в корпусе DIP / Аркадий Турцевич и др. // Технологии в электронной промышленности. - 2011. - № 7. - С. 22-25.
10. Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро- и наноэлектроники: монография / А. П. Достанко [и др.] ; под ред. А. П. Достанко, А. М. Русецкого. - Минск: Бестпринт, 2011. - 210 с.: ил.
11. Солодуха, В. А. Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диодов Шоттки // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ-БГУИР (Минск, 18-19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. - Минск : БГУИР, 2014. - С. 56-57.
12. Ловшенко, И. Ю. и др. Высокотемпературные диоды Шоттки // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов ХIII Белорусско-российской научно-технической конференции, 4-5 мая 2015 г., Минск. - Минск: БГУИР, 2015. - С 70-71.
13. Солодуха, В. А. Прогнозирование максимально допустимых потенциалов разрядов статического электричества и их влияние на диоды Шоттки / В. А. Солодуха, В. Л. Ланин, Я. А. Соловьев // Доклады БГУИР. - 2015. - № 4 (90). - С. 80 - 86.
14. Солодуха, В. А. Повышение устойчивости структур диодов Шоттки с охранным кольцом к разрядам статического электричества / В. А. Солодуха, В. Л. Ланин, Я. А. Соловьев // Вестник ПГУ. Серия С. Фундаментальные науки. - 2015, № 12. - С. 71-80.
15. Влияние быстрой термообработки на оптические параметры кремния / В. А. Солодуха и др. // Современные информационные и электронные технологии: Международная научно-практическая конференция (Одесса, 22 — 26 мая 2017 г.). - Одесса: Политехпериодика. - С. 73 - 74.
16. Проектирование и производство изделий электронной техники : пособие / А. П. Достанко [и др.]. - Минск : БГУИР, 2017. - 80 с. : ил.
17. Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температуры / С. С. Волкенштейн и др. // Приборостроение 2017: материалы 10-ой Международной научно-технической конференции (Минск, 1 - 3 октября 2017 г.). - Минск: БНТУ, 2017. - С. 284 - 285.
18. Телеш, Е. В. Технологические модули и устройства программно-управляемого оборудования для производства изделий электроники. Лабораторный практикум : пособие / Е. В. Телеш, Я. А. Соловьев. - Минск : БГУИР, 2019. - 75 с. : ил.
19. Аммиачная молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур AlGaN наподложках сапфира. / Н. В. Ржеуцкий [и др.] // Доклады БГУИР. - 2019. - № 7 (125). - С. 144-151.
20. Соловьев, Я. А. Влияние условий быстрой термической обработки на электрофизические свойства тонких пленок хрома на кремнии / Соловьев Я. А., Пилипенко В. А. // Доклады БГУИР. - 2019. - № 7-8 (126). - С. 157-164.

Заслуги, награды, поощрения:
Лауреат премии министерства промышленности РБ в области науки и техники за 2009 г.
Лауреат премии министерства промышленности РБ в области науки и техники за 2010 г.
Лауреат премии министерства промышленности РБ в области науки и техники за 2011 г.
Лауреат премии министерства промышленности РБ в области науки и техники за 2013 г.
Грамота Государственного комитета по науке и технологиям РБ - 2020 г.